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消息:英飛凌與II-VI簽署SiC襯底供應長單

來源:貼片電容 發(fā)布時間:2022-08-29 瀏覽:450
近日據(jù)Seeking Alpha消息稱,英飛凌與II-VI(高意集團)已簽署了一份為期多年的150mm SiC晶供應協(xié)議,雙方還將共同開發(fā)200mm SiC晶圓。


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圖:英飛凌功率器件晶圓廠


報道稱,該協(xié)議支持英飛凌的多供應來源戰(zhàn)略,提高了其關(guān)鍵碳化硅材料供應鏈彈性,第一批SiC晶圓已經(jīng)交付。


芯片大師前不久報道了II-VI:獲東莞天域1億美元SiC襯底訂單,II-VI目前正在包括中國在內(nèi)的多地拓展150mm和200mm SiC襯底產(chǎn)能。


目前,英飛凌還與安森美、科銳(Wolfspeed)以及日本昭和電工簽署了供應協(xié)議。


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圖:SiC功率器件市場份額

根據(jù)報道引用的一份數(shù)據(jù),2021年全球功率器件市場排名前五的供應商分別為意法半導體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆和安森美。


英飛凌首席采購官表示:“英飛凌正在加大對碳化硅產(chǎn)能的投資,以滿足客戶快速增長的需求。我們很高興將II-VI加入我們的戰(zhàn)略供應商行列,并共同發(fā)展我們的業(yè)務?!?/span>


英飛凌預計其碳化硅半導體銷售額平均每年增長60%以上,到2025年將達到約10億美元。在2026-2030年,英飛凌預計將繼續(xù)保持增長勢頭,為實現(xiàn)這一目標,英飛凌最近還宣布在馬來西亞居林投資擴建產(chǎn)能。


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